Генератор миллиметровых волн своими руками

ГЕНЕРАТОР 8-ММ ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН С ЛИНЕЙНОЙ ЧАСТОТНОЙ ПЕРЕСТРОЙКОЙ

Косов А. С., Зотов В. А., Скулачев Д. П.

Институт Космических Исследований Российской Академии Наук (ИКИ РАН) Профсоюзная ул., д.84/32, Москва – 117997, Россия Тел.: +7(095) 3332267; e-mail: akosov@ieee.org Вальд-Перлов В. М.

ГУП НПП «Пульсар»

ГСП-5, Москва – 105187, Россия Тел.: (095) 3665677

Аннотация – Рассмотрен управляемый напряжением генератор диапазона 36-37 ГГц, состоящий из задающего генератора на полевом транзисторе ЗП608, управляемом по частоте варакторным диодом, и буферного усилителя, предназначенного для увеличения выходной мощности и развязки задающего генератора и нагрузки. Линейность частотной перестройки обеспечивается применением специального варакторного диода. Диапазон перестройки составляет не менее 1,5 ГГц, изменение крутизны перестройки не более 50%.

Генераторы миллиметрового диапазона длин волн с линейной частотной перестройкой варакторным диодом находят применение в системах ближней локации, а также для использования в качестве Генератора Управляемого Напряжением (ГУН) в системах Фазовой Автоматической Подстройки Частоты (ФАПЧ) [1]. Одним из путей увеличения линейности перестройки является применение варакторного диода с оптимальной для получения линейности перестройки зависимостью емкости диода от напряжения управления. В качестве варактора был применен диод GMV9821-000, производства фирмы “Skyworks” США. Генератор выполнялся на полевом транзисторе ЗП608-А5. В качестве буферного усилителя был использован монолитный усилитель типа АА038Р2-

0, производства также фирмы “Skyworks”.

II. Основная часть

Блок-схема ГУН приведена на Рис.1.

Рис. 3. Измеренные характеристики ГУН.

Fig. 3. VCO diagrams

Результаты измерений показывают, что диапазон перестройки составляет около 1,7 ГГц (35,5 – 37,2 ГГц) при изменение напряжения на варакторном диоде от 0 до 15 В. Выходная мощность ГУН в диапазоне перестройки меняется от 16,9 до 17,7 dBm. Крутизна перестройки имеет максимум (около 150 МГц/В) при напряжение управления 4 В, и минимум (около 80 МГц/В) при напряжение управления 15 В.

Таким образом, разработан и исследован Генератор Управляемый Напряжением. Был получен диапазон перестройки от 35,7 до 37,2 ГГц. Выходная мощность генератора составила около 50 мВт, изменение в диапазоне перестройки не более 1 дБ. Изменение крутизны перестройки составляет не более 50% (от 80 до 150 МГц/В). Генератор выполнен в виде волноводного фланца размером 24 х 24 х 15 мм. Генераторы может найти применение в системах ближней радиолокации, а также для использования в качестве Генератора Управляемого Напряжением (ГУН) в системах Фазовой Автоматической Подстройки Частоты (ФАПЧ).

IV. Список литературы

[1 ] P. Denniss and S.E. Gibbs. «Solid-State Linear FM/CW Radar Systems – Their Promise and Their Problems.» 1974 S- MTT International Microwave Symposium Digest of Technical Papers 74.1 (1974 [MWSYM]): 340-342.

THE KA-BAND VCO WITH LINEAR TUNING

KosovA. S., Zotov V. A., Skulachev D. P.

Space Research Institute Russian Academy of Sciences, IKI,

84/32, Profsouznaya ul., Moscow -117997, Russia phone: (095) 3332267 e-mail: akosov@ieee.org Vald-Perlov V. M.

Science & Production Enterprise “Pulsar”

GSP-5, Moscow, 105187- Russia Phone: (095) 3665677

Abstract – Ka-band varactor tuned VCO was considered. It consists of FET Master Oscillator and drive amplifier, intended for power gain and isolation of the master oscillator and the load. The linear tuning was due to GaAs Hyperabrupt Junction Varactor Diode made of “Skywork” Company. The tuning band was more than 1.5 GHz. Variation of tuning sensitivity was about 50%.

The VCO with linear tuning by varactor diode are used in short range radars and PLL systems [1]. In order to enhance tuning linearity, the special GaAs Hyperabrupt Junction Varactor Diode is used. It was GMV9821-000 diode manufactured by “Skywork” Company. The master oscillator was based on 3P608- A5 FET, manufactured by “Pulsar” Company. The drive amplifier was AA038P2-00, manufactured by “Skywork” company.

The VCO was based on 3P608-A5 FET master oscillator. The positive feedback was due to transistor source capacitance equal to about 0.05 pF. The oscillator circuit contained also varactor diode capacitance, transistor gate capacitance and inductances of combining wires.

The special GaAs Hyperabrupt Junction Varactor Diode was used for frequency tuning. Formula (1) shows C_v vs V_R dependence. Table 1 shows the measurement data.

The signal from master oscillator was used as input for drive amplifier. The monolithic circuit AA038P2-00, manufactured by “Skywork” company, was used as drive amplifier. The drive amplifier had 50 mW output power and about 40 dB isolation. The waveguide – microstripe transition was used to transform waveguide impedance to 50 Ohms needed for drive amplifier output. The quartz was used as the transition substrate.

The VCO photo is shown in Fig.2. It is possible to see the varactor diode, FET, drive amplifier, waveguide – microstrip transition and waveguide with dimensions 7.2 x 3.4 mm.

The oscillator power supply was +6 V @ 200 mA. The tuning voltage range was from 0 to +15 V. The oscillator measurement data are shown in Fig.3.

The plots show oscillating frequency, tuning sensitivity and output power as functions of tuning voltage. The frequency tuning range was about 1.7 GHz (from 35.5 to 37.2 GHz) when the tuning voltage was changed from 0 to +15 V. The variation of the output power in tuning range was from 16.9 to 17.7 dBm. The tuning sensitivity had maximum about 150 MHz/V at V_R = +4 V and minimum about 80 MHz/V at V_R = +15 V.

The millimeter wave VCO have been developed. The tuning range was from 35.7 to 37.2 GHz. The output power was about 50 mW, the variation in tuning range was no more 1 dB. The variation of tuning sensitivity was no more than 50% (from 80 MHz/V to 150 MHz/V). The oscillator had dimensions 24 x 24 x 15 mm. The VCO can be used in short range radars and in PLL systems.

Источник: Материалы Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии»

Источник

Расчет гетеродинного генератора миллиметрового диапазона на диоде Ганна

Рубрика: Технические науки

Дата публикации: 05.06.2016 2016-06-05

Статья просмотрена: 697 раз

Библиографическое описание:

Межунц, Т. В. Расчет гетеродинного генератора миллиметрового диапазона на диоде Ганна / Т. В. Межунц, И. В. Малышев, Д. А. Ахалая. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2016. — № 11 (115). — С. 424-429. — URL: https://moluch.ru/archive/115/31200/ (дата обращения: 25.09.2021).

Конструирование диодных генераторов миллиметрового диапазона осложняется малой длиной волны. В этом диапазоне не только диод, но и отдельные элементы его корпуса и устройства крепления в резонаторе проявляют свойства систем с распределенными параметрами. В этом диапазоне даже при качественном анализе нельзя разделить генератор на две отдельные части (диод и внешнюю электромагнитную цепь) и приходится рассматривать электродинамическую систему в целом. При этом задача моделирования генератора сводится к решению системы уравнений Максвелла с нелинейными коэффициентами и сложными граничными условиями. Решение такой задачи численными методами при определенных упрощающих предположениях и допущениях применительно к некоторым определенным наиболее распространенным элементам и типам конструкций позволило определить эквивалентные схемы и при экспериментальном определении их параметров разработать определенную методику проектирования именно этих конструкций [2, 3]. При этом необходимо заметить, что представление параметров корпуса диода сосредоточенными частотно-независимыми ёмкостью и индуктивностью допустимо, если диаметр корпуса меньше λ/4 [4], где λ — длина волны.

Полученные эквивалентные схемы отличаются большой сложностью, и анализ генераторов на их основе требует, как правило, применения ЭВМ.

Обобщенная схема теоретического анализа генератора миллиметрового диапазона сводится к следующей последовательности:

– определение эквивалентной схемы в результате решения электродинамической задачи с определенными граничными условиями;

– экспериментальное определение параметров этой схемы;

– численный расчет генератора на основе полученной эквивалентной схемы.

Наиболее предпочтительными в миллиметровом диапазоне длин волн представляются волноводные генераторы. К их достоинствам можно отнести: практически полную экранировку СВЧ полей, малые потери в электродинамической системе, простоту механической перестройки частоты, простоту устройств диодов и теплоотвода.

Рассмотрим эквивалентную схему (ЭС) автогенератора СВЧ на примере ЭС АДГ, конструкция которого изображена на рисунке 1. Она включает в себя три последовательно соединенных звена, отображающих соответственно собственно активный элемент I, элементы монтажа активного кристалла к внешней цепи II и внешнюю цепь III.

Рис. 1. Конструкция автогенератора СВЧ

Из теории СВЧ цепей известно, что любой конструктивный элемент цепи может присутствовать на схеме замещения в виде многих символов. Число последних лимитировано лишь количеством различных учитываемых типов колебаний, с которыми связан данный элемент. Применение настоящего принципа позволило предложить обобщенную ЭС АДГ, изображённую на рисунке 2. Принципиальное отличие этой ЭС состоит в том, что внешняя по отношению к диоду цепь представлена как набор произвольного числа резонансных контуров, образующих вместе с элементами корпуса и схемы замещения диода систему связанных резонаторов. Характерной чертой этой системы является наличие одного общего элемента связи ЭС, через который осуществляется обмен энергией. Конкретная природа резонансных контуров при таком подходе отступает на задний план и не маскирует фундаментальные свойства колебательной системы, определяющие поведение генератора. Особенности конструктивного выполнения АДГ определяют лишь необходимый набор контуров и параметры последних. Как правило, в полосу частот, в пределах которой диод Ганна обеспечивает эффективную генерацию, попадает несколько резонансов колебательной системы, что предопределяет возможность скачков частоты и мощности при регулировке генератора. Поэтому достаточно полное описание АДГ, позволяющее решать задачи о конкуренции различных типов колебаний, достигается лишь при учете в ЭС трех-пяти контуров. Это особенно необходимо для волноводной конструкции, где влияние дисперсии существенно сближает частоты соседних обертонов и, кроме того, добавляются дополнительные типы колебаний на волне Т между штырем, крепящим диод Ганна в волноводе, и узкими стенками волновода. В частности, для волноводной конструкции АДГ обычно достаточно учитывать кроме «собственного» резонанса диода (контур образованный Сд и Gд) еще один или два «волноводных» резонанса на смежных обертонах и резонанс, обусловленный «квазикоаксиальным» резонансом, т. е. необходимо принимать во внимание четыре контура. Уместно заметить, что внешняя громоздкость получающихся ЭС есть прямое следствие свойств, объективно присущих реальному генератору. Мы вынуждены их учитывать, если хотим, чтобы теоретическая модель АДГ давала достаточно точные результаты.

Рис. 2. Эквивалентная схема генератора СВЧ

Методика расчета автогенератора на диоде Ганна на основе четырехконтурной эквивалентной схемы

Преобразованная ЭС автогенератора СВЧ представлена на рисунке 3. Четырехконтурная ЭС включает в себя Т-образную схему замещения штыря в волноводе [1,5]. Отличительной особенностью данной ЭС является то, что полезная нагрузка Хн шунтирует каждый парциальный контур. Поэтому полная мощность в нагрузке Рн образуется как суперпозиция нескольких «потоков», прошедших через соответствующие цепи. При анализе АДГ активный элемент обычно изображается в виде параллельного соединения отрицательной проводимости –Gд и ёмкости Сд(контур 1).

Рис.3. Преобразованная эквивалентная схема генератора СВЧ

Значения этих параметров ЭС зависят от структуры полупроводникового кристалла, напряжения питания, температуры, рабочей частоты и т. д.

Следует отметить, что даже для диодов одного типа от экземпляра к экземпляру наблюдается существенный разброс в значениях этих величин. Эквивалентная схема монтажа полупроводникового (п.п.) образца в корпусе составляется из сопротивления Rк, учитывающего потери в пассивной области кристалла и в элементах крепления, Lк — индуктивности проводника, подключающего кристалл к корпусу и ёмкости корпуса Ск. Контур L3 С3отображает «квазикоаксиальный» резонанс узла крепления диода Ганна, который состоит в том, что штырь с диодом играет роль центрального проводника длинной линии, узкие стенки волновода — роль наружных поверхностей, а широкие — роль торцевых поверхностей, ограничивающих длину резонатора. Штриховой линией выделена ЭС волноводного резонатора, учитывающая два соседних обертона.

Некоторые авторы расчет АДГ начинают с определения структуры активного слоя, которая выбирается из желательности обеспечения конкретного режима работы, частоты, мощности и т. д. Однако нашей задачей ставился расчет АДГ на диоде типа АА727Б, выпускаемом промышленностью, поэтому особое внимание было уделено расчету колебательной системы АДГ [3].

Стационарный режим АДГ в одночастотном приближении определяется уравнениями баланса амплитуд и фаз, которые применительно к зажимам отрицательной проводимости имеют вид системы равенств:GH — S = GƩ = 0,BН + ВДГ = BƩ = 0.

Здесь GH и BH — соответственно активная и реактивная части комплексной входной проводимости колебательной системы на частоте первой гармоники, S — крутизна колебательной характеристики, ВДГ — реактивная частькомплексной проводимости кристалла. Резонансные частоты и эквивалентные характеристические сопротивления контуров 2 и 4, описывающих колебания на обертонах волны Н10, находятся по заданным размерам волновода из соотношений

(1.1)

где l — длина линии передачи, λ — длина волны в линии передачи, n — номер обертона, f0 — резонансная частота эквивалентного контура, ρ — его эквивалентное характеристическое сопротивление, λ0 — длина волны в вакууме на частоте, а — ширина, b — высота волновода [6].Для расчета сопротивления собственных потерь R02 и R04 задаемся значением собственной добротности резонатора Q01 на соответствующей частоте и используя стандартное выражение:

(1.2)

где ρi — волновое сопротивление i-го контура.

Добротность Q0 зависит от потерь в короткозамыкателе и узле крепления диода, качества обработки, высоты волновода, диапазона частот; полагаем одновременно Q

1/F. При расчете потерь, вносимых полезной нагрузкой в 1-й парциальный контур, все остальные контуры считаются разомкнутыми, соответственно Reн2, Rвн4 получаются путем пересчета в последовательное соединение цепи, изображенной на рисунке 4.

Рис. 4. Эквивалентная схема для расчёта добротности Q₀

Для контуров 1 и 3 (рис. 3) аналогичная задача решается преобразованием, изображённом на рисунке 5, при комплексной нагрузке ZH = RH + jXH.

Рис. 5. Эквивалентная схема для расчёта добротности контуров 1 и 3

Обозначим для кратности сопротивление связи обычно В этом случае

(1.3)

(1.4)

причем значения всех величин в правых частях берутся на парциальных частотах соответственных контуров, где rВН i — потери, вносимые полезной нагрузкой в i-й парциальный контур.

Параметры контура 3, представляющего резонанс узла крепления на волне типа Т, находят аналогично. Волновое сопротивление находят по формуле для желобковой линии [7] с достаточной точностью:

(1.5)

где dШ — диаметр штыря.

Резонансные частоты квазикоаксиального резонатора зависят от расстояния h от кристалла до ближайшей широкой стенки волновода.

На основном тоне λ3 = (8÷10)b при обычных значениях Ск. На первом обертоне λ3≈b.Степень влияния парциального контура на колебательную систему в целом существенно зависит от коэффициента включения контура. Для основного тона квазикоаксиального резонатора коэффициент связи максимален:К3=1. Поэтому при b/a

Похожие статьи

Расчет эквивалентного сопротивления управляемого пассивного.

Как отмечено в [3], при работе на частотах до 10 ГГц маломощный полупроводниковый диод можно рассматривать как сосредоточенную нагрузку, так как , где — длина волны ЭМП, — линейные размеры

Рис. 2. Эквивалентная схема полупроводникового диода на СВЧ.

Использование ультразвуковых волн для измерения расстояния.

колебание, последовательный колебательный контур, активное сопротивление контура, ультразвуковой датчик, точность измерения, температура, рисунок, промежуток времени, датчик, элемент системы.

Резонансный метод определения частоты | Статья в журнале.

Полезная информация. Спецвыпуски. Как опубликовать статью.

Колебательный контур частотомера выполняют либо в виде отрезка коаксиальной линии, либо в виде объемного резонатора.

Из электродинамики известно, что собственная длина волны, в резонаторе.

Исследование влияния параметров системы АРВ на переходные.

Они получили название электромагнитных колебаний, так как обусловлены электромагнитными контурами АРВ. В результате, помимо полезных эффектов энергосистема приобретает также и некоторые негативные свойства

Рис. 1. Схема эквивалентной электрической системы.

Формирователь импульсов тока возбуждения магнитоупругих волн.

Рисунок 1 – Структурная схема формирователя импульсов тока возбуждения магнитоупругих волн в акустических волноводах. По сигналу перегрузки от любой из перечисленных систем защиты драйвер прерывает подачу импульсов управления во входную цепь силового ключа.

Источник радиантной энергии или электричество из воздуха

Выше описанная конструкция — это модуль который может брать неограниченную энергию из воздуха. Чем больше модулей, тем больше мощности.

Поэтому в целях безопасности можно установить защитный разрядник между антенной и землей, ближе к схеме.

Математическая модель нагрева волновода при передаче.

Полезная информация. Спецвыпуски.

l — длина волны передаваемого сигнала, см; Z — волновое сопротивление среды распространения сигнала, Ом.

Рис. 5. Расчетная схема нагрева элемента стенки волновода.

Синтез многолучевых однозазорных и двухзазорных клистронных.

Высокий КПД таких приборов достигается введением в конструкцию резонаторной системы дополнительных резонаторов, имеющих собственные частоты

Исходными для расчета являются требуемое значение основной рабочей длины волны и волновое сопротивление .

Расчет эквивалентного сопротивления управляемого пассивного.

Как отмечено в [3], при работе на частотах до 10 ГГц маломощный полупроводниковый диод можно рассматривать как сосредоточенную нагрузку, так как , где — длина волны ЭМП, — линейные размеры

Рис. 2. Эквивалентная схема полупроводникового диода на СВЧ.

Использование ультразвуковых волн для измерения расстояния.

колебание, последовательный колебательный контур, активное сопротивление контура, ультразвуковой датчик, точность измерения, температура, рисунок, промежуток времени, датчик, элемент системы.

Резонансный метод определения частоты | Статья в журнале.

Полезная информация. Спецвыпуски. Как опубликовать статью.

Колебательный контур частотомера выполняют либо в виде отрезка коаксиальной линии, либо в виде объемного резонатора.

Из электродинамики известно, что собственная длина волны, в резонаторе.

Исследование влияния параметров системы АРВ на переходные.

Они получили название электромагнитных колебаний, так как обусловлены электромагнитными контурами АРВ. В результате, помимо полезных эффектов энергосистема приобретает также и некоторые негативные свойства

Рис. 1. Схема эквивалентной электрической системы.

Формирователь импульсов тока возбуждения магнитоупругих волн.

Рисунок 1 – Структурная схема формирователя импульсов тока возбуждения магнитоупругих волн в акустических волноводах. По сигналу перегрузки от любой из перечисленных систем защиты драйвер прерывает подачу импульсов управления во входную цепь силового ключа.

Источник радиантной энергии или электричество из воздуха

Выше описанная конструкция — это модуль который может брать неограниченную энергию из воздуха. Чем больше модулей, тем больше мощности.

Поэтому в целях безопасности можно установить защитный разрядник между антенной и землей, ближе к схеме.

Математическая модель нагрева волновода при передаче.

Полезная информация. Спецвыпуски.

l — длина волны передаваемого сигнала, см; Z — волновое сопротивление среды распространения сигнала, Ом.

Рис. 5. Расчетная схема нагрева элемента стенки волновода.

Синтез многолучевых однозазорных и двухзазорных клистронных.

Высокий КПД таких приборов достигается введением в конструкцию резонаторной системы дополнительных резонаторов, имеющих собственные частоты

Исходными для расчета являются требуемое значение основной рабочей длины волны и волновое сопротивление .

Похожие статьи

Расчет эквивалентного сопротивления управляемого пассивного.

Как отмечено в [3], при работе на частотах до 10 ГГц маломощный полупроводниковый диод можно рассматривать как сосредоточенную нагрузку, так как , где — длина волны ЭМП, — линейные размеры

Рис. 2. Эквивалентная схема полупроводникового диода на СВЧ.

Использование ультразвуковых волн для измерения расстояния.

колебание, последовательный колебательный контур, активное сопротивление контура, ультразвуковой датчик, точность измерения, температура, рисунок, промежуток времени, датчик, элемент системы.

Резонансный метод определения частоты | Статья в журнале.

Полезная информация. Спецвыпуски. Как опубликовать статью.

Колебательный контур частотомера выполняют либо в виде отрезка коаксиальной линии, либо в виде объемного резонатора.

Из электродинамики известно, что собственная длина волны, в резонаторе.

Исследование влияния параметров системы АРВ на переходные.

Они получили название электромагнитных колебаний, так как обусловлены электромагнитными контурами АРВ. В результате, помимо полезных эффектов энергосистема приобретает также и некоторые негативные свойства

Рис. 1. Схема эквивалентной электрической системы.

Формирователь импульсов тока возбуждения магнитоупругих волн.

Рисунок 1 – Структурная схема формирователя импульсов тока возбуждения магнитоупругих волн в акустических волноводах. По сигналу перегрузки от любой из перечисленных систем защиты драйвер прерывает подачу импульсов управления во входную цепь силового ключа.

Источник радиантной энергии или электричество из воздуха

Выше описанная конструкция — это модуль который может брать неограниченную энергию из воздуха. Чем больше модулей, тем больше мощности.

Поэтому в целях безопасности можно установить защитный разрядник между антенной и землей, ближе к схеме.

Математическая модель нагрева волновода при передаче.

Полезная информация. Спецвыпуски.

l — длина волны передаваемого сигнала, см; Z — волновое сопротивление среды распространения сигнала, Ом.

Рис. 5. Расчетная схема нагрева элемента стенки волновода.

Синтез многолучевых однозазорных и двухзазорных клистронных.

Высокий КПД таких приборов достигается введением в конструкцию резонаторной системы дополнительных резонаторов, имеющих собственные частоты

Исходными для расчета являются требуемое значение основной рабочей длины волны и волновое сопротивление .

Расчет эквивалентного сопротивления управляемого пассивного.

Как отмечено в [3], при работе на частотах до 10 ГГц маломощный полупроводниковый диод можно рассматривать как сосредоточенную нагрузку, так как , где — длина волны ЭМП, — линейные размеры

Рис. 2. Эквивалентная схема полупроводникового диода на СВЧ.

Использование ультразвуковых волн для измерения расстояния.

колебание, последовательный колебательный контур, активное сопротивление контура, ультразвуковой датчик, точность измерения, температура, рисунок, промежуток времени, датчик, элемент системы.

Резонансный метод определения частоты | Статья в журнале.

Полезная информация. Спецвыпуски. Как опубликовать статью.

Колебательный контур частотомера выполняют либо в виде отрезка коаксиальной линии, либо в виде объемного резонатора.

Из электродинамики известно, что собственная длина волны, в резонаторе.

Исследование влияния параметров системы АРВ на переходные.

Они получили название электромагнитных колебаний, так как обусловлены электромагнитными контурами АРВ. В результате, помимо полезных эффектов энергосистема приобретает также и некоторые негативные свойства

Рис. 1. Схема эквивалентной электрической системы.

Формирователь импульсов тока возбуждения магнитоупругих волн.

Рисунок 1 – Структурная схема формирователя импульсов тока возбуждения магнитоупругих волн в акустических волноводах. По сигналу перегрузки от любой из перечисленных систем защиты драйвер прерывает подачу импульсов управления во входную цепь силового ключа.

Источник радиантной энергии или электричество из воздуха

Выше описанная конструкция — это модуль который может брать неограниченную энергию из воздуха. Чем больше модулей, тем больше мощности.

Поэтому в целях безопасности можно установить защитный разрядник между антенной и землей, ближе к схеме.

Математическая модель нагрева волновода при передаче.

Полезная информация. Спецвыпуски.

l — длина волны передаваемого сигнала, см; Z — волновое сопротивление среды распространения сигнала, Ом.

Рис. 5. Расчетная схема нагрева элемента стенки волновода.

Синтез многолучевых однозазорных и двухзазорных клистронных.

Высокий КПД таких приборов достигается введением в конструкцию резонаторной системы дополнительных резонаторов, имеющих собственные частоты

Исходными для расчета являются требуемое значение основной рабочей длины волны и волновое сопротивление .

Источник